磷化镓蚀刻剂GaP
(用于光发射二极管)
本品用于光发射二极管和带电隔离的阵列中磷化镓的化学控制性蚀刻。
特点
·产生光滑无痕的表面
·不浸蚀硅、钛光掩膜或波束引导金属膜
·消除表面损伤
·能蚀刻＜100＞和＜111＞晶向
·80℃时蚀刻速率为5密耳/小时
说明
Transene磷化镓蚀刻剂是设计用于制造光发射二极管和二极管阵列的有效蚀刻剂。它可用来对磷化镓进行化学控制蚀刻制出面式晶体管结构，以满足生产高效率光发射二极管和隔离光发射二极管以产生字母数字显示器的矩阵的需要。在隔离过程中，光发射二极管成型为拱面结构，这是高效电发光装置所必不可少的。这种蚀刻剂与引导波束技术还非常匹配。
Transene磷化镓蚀刻剂对所有晶向都表现很高的蚀刻速率，GaP＜100＞晶向各晶面都可均匀蚀刻，产生一个光滑无痕的表面。而＜111＞向的晶面蚀刻情况有所不同，＜111＞（Ga的 A面）产生光滑的橘皮样面，而＜111＞（P的B面）变得光滑无痕。N型和P型GaP的蚀刻速率彼此相当。
GaP蚀刻剂稳定无毒、廉价易用，可用于磷化镓光发散二极管和波束引导电发光装置。该蚀刻剂不浸蚀Pd、Au和Pt引导波束金属膜，对Ti和SiO2光掩膜的浸蚀性甚微。
磷化镓蚀刻剂的性质
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外观
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琥珀色液体
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沸点
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＞100℃
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PH
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13-14
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冲洗溶剂
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水
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蚀刻速率，80℃时，微米/小时
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P型＜100＞
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210
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N型＜100＞
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210
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P型＜111＞
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A面（镓）
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115
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B面（磷）
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210
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匹配性介电材料
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溅镀或硅烷SiO2
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匹配性光掩膜材料
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SiO2， Ti， 4U， KMER
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匹配性波束引导材料
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Ti， Pd， Au， Cr， Pt
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建议操作温度
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70-80℃
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蚀刻能力
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12g/L
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应用
Transene磷化镓蚀刻剂用光发射二极管的多种生产过程。首先用这种蚀刻剂消除机械抛光的P型和N型磷化镓表面上的损伤。接着装置制备按下列步骤进行：
1. 用GaP蚀刻剂和SiO2光掩膜制出面式晶体管构型图。
2. 用光刻技术波束引导金属和接触金属。
3. 用砂轮切割机把GaP晶片分离到个别模中，接着用Transene GaP蚀刻剂进行化学蚀刻。
