薄膜蚀刻使用指导
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膜
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TRANSENE公司蚀刻剂
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蚀刻速率
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光刻胶
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应用
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Al
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标准铝
蚀刻剂-A 蚀刻剂-D |
25℃ 40℃
30Å/秒 80Å/秒 40Å/秒 125Å/秒 |
阴性和阳性
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半导体和集成电路
GaAs 和 GaP 装置 |
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Al2O3
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TRANSETCH - N
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120Å/秒，180℃
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SiO2
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半导体装置
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Co2Si
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硅化钴
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10Å/秒，25℃
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阴性和阳性
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微电子元件
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Cr
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铬蚀刻剂-473
铬蚀刻剂-TFD 铬蚀刻剂-1020 |
25℃ 4℃
14Å/秒 25Å/秒
50Å/秒 |
阴性和阳性
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薄膜线路
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Cr-CrO
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铬蚀刻剂-TFD
铬蚀刻剂-1020 |
不固定
不固定
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阴性，阳性
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薄膜线路
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Cr-Si
Cr-SiO |
铬陶瓷
蚀刻剂 - TFE |
1000Å/分，50℃
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阴性
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薄膜线路
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Cu
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铜蚀刻剂 100
铜蚀刻剂 200 APS 铜 100 |
1 密尔/分，50℃
0.5密尔/分，50℃ 80Å/秒，40℃ |
屏幕光刻胶
阴性和阳性 |
P.C. 板
薄膜线路 |
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GaAs
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砷化镓
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20-100Å/秒
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阴性
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微电子件
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GaN
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氮化镓
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80Å/分，180℃
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阴性和阳性
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半导体和 IC
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Ga2O3
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氧化镓
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10秒@25℃
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阴性
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钯触点
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GaP
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磷化镓
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A面(Ga):115μ/小时，80℃
B面(P):210μ/小时，80℃ |
阴性
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光发射二级管
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Ge
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锗
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250Å/秒，20℃
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阴性和阳性
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半导体装置
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Au
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金蚀刻剂 TFA
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28Å/秒，25℃
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阴性和阳性
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薄膜线路
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In2O3
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氧化铟
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3分，25℃
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阴性
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钯触点
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InP
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磷化铟
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30分，25℃
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阴性
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钯触点
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Fe2O3
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氧化铁 ME-10
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50Å/秒，25℃
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阴性和阳性
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微电子件
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Mo
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钼蚀刻剂 TFM
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55 Å/秒，30℃
85 Å/秒，60℃ |
阴性
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钯触点
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Nb
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铌
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50Å/秒，25℃
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阴性和阳性
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微电子件
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Ni-Cr
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镍铬蚀刻剂 - TFC
镍铬蚀刻剂 - TFN |
20Å/秒，25℃
50Å/秒，40℃ |
阴性和阳性
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薄膜线路
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Ni
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镍蚀刻剂 - TFB
镍蚀刻剂 - TFG |
30Å/秒，30℃
50Å/秒，40℃ |
阴性和阳性
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薄膜线路
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Pd
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钯蚀刻剂 - TFP
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110Å/秒，50℃
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阴性和阳性
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薄膜线路
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Pt
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铂蚀刻剂 1:1
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10Å/秒，25℃
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阳性
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薄膜线路
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Si
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硅慢速蚀刻剂
硅中速蚀刻剂 |
不固定
不固定 |
KMER
PKP Ⅱ型 |
半导体装置
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SiO2
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HF 缓冲剂（热生长）
硅氧蚀刻剂（沉积）
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800Å/分，25℃
2400Å/分，25℃ |
阴性和阳性
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半导体和IC
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SiO
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一氧化硅蚀刻剂
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5000Å/分，85℃
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阴性和阳性
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半导体装置
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Si3N4
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TRANSETCH - N
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125Å/分，180℃
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SiO2 (Silox)
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半导体与集成线路
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Ag
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银蚀刻剂 - TFS
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200Å/秒，25℃
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阴性和阳性
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半导体和IC
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Ta
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钽蚀刻剂-8607
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70Å/秒，25℃
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阴性和阳性
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电容器，IC
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Ti
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钛蚀刻剂 - TFT
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25Å/秒，20℃
50Å/秒，30℃ |
阴性和阳性
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集成线路
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Ti-W
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钛钨蚀刻剂 TiW-30
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20Å/秒
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阴性和阳性
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粘结层
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W
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钨蚀刻剂 TFW
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140Å/秒，30℃
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阴性和阳性
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集成线路
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SnO,ITO
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TE-100
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30分，25℃
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屏幕光刻胶
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电子线路
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注：阴性光刻胶材料包括KPR、KTFR、PKP II型和WAYCOAT；
阳性光刻胶材料包括AZ－111、AZ 1350和Micro Positive 809（微阴性809）。
