022-23928031

微电子材料

化学试剂类

美国BTC产品代理

首页> 所属分类> 蚀刻剂

薄膜蚀刻使用指导

TRANSENE公司蚀刻剂
蚀刻速率
光刻胶
应用
Al
标准铝
蚀刻剂-A
蚀刻剂-D
25℃    40
30
Å/秒 80Å/秒
40
Å/秒 125Å/秒
阴性和阳性
半导体和集成电路
GaAs 和 GaP 装置
Al2O3
TRANSETCH - N
120Å/秒,180℃
SiO2
半导体装置
Co2Si
硅化钴
10Å/秒,25℃
阴性和阳性
微电子元件
Cr
铬蚀刻剂-473
铬蚀刻剂-TFD
铬蚀刻剂-1020
25℃      4
14Å/秒   25Å/秒
          50
Å/秒
阴性和阳性
薄膜线路
Cr-CrO
铬蚀刻剂-TFD
铬蚀刻剂-1020
不固定
不固定
阴性,阳性
薄膜线路
Cr-Si
Cr-SiO
铬陶瓷
蚀刻剂 - TFE
1000Å/分,50℃
阴性
薄膜线路
Cu
铜蚀刻剂 100
铜蚀刻剂 200
APS 铜 100
1 密尔/分,50℃
0.5密尔/分,50℃
80
Å/秒,40℃
屏幕光刻胶
阴性和阳性
P.C. 板
薄膜线路
GaAs
砷化镓
20-100Å/秒
阴性
微电子件
GaN
氮化镓
80Å/分,180℃
阴性和阳性
半导体和 IC
Ga2O3
氧化镓
10秒@25
阴性
钯触点
GaP
磷化镓
A面(Ga):115μ/小时,80℃
B面(P):210μ/小时,80℃
阴性
光发射二级管
Ge
250Å/秒,20℃
阴性和阳性
半导体装置
Au
金蚀刻剂  TFA
28Å/秒,25℃
阴性和阳性
薄膜线路
In2O3
氧化铟
3分,25℃
阴性
钯触点
InP
磷化铟
30分,25℃
阴性
钯触点
Fe2O3
氧化铁 ME-10
50Å/秒,25℃
阴性和阳性
微电子件
Mo
钼蚀刻剂 TFM
55 Å/秒,30℃
85
Å/秒,60℃
阴性
钯触点
Nb
50Å/秒,25℃
阴性和阳性
微电子件
Ni-Cr
镍铬蚀刻剂 - TFC
镍铬蚀刻剂 - TFN
20Å/秒,25℃
50
Å/秒,40℃
阴性和阳性
薄膜线路
Ni
镍蚀刻剂 - TFB
镍蚀刻剂 - TFG
30Å/秒,30℃
50
Å/秒,40℃
阴性和阳性
薄膜线路
Pd
钯蚀刻剂 - TFP
110Å/秒,50℃
阴性和阳性
薄膜线路
Pt
铂蚀刻剂 1:1
10Å/秒,25℃
阳性
薄膜线路
Si
硅慢速蚀刻剂
硅中速蚀刻剂
不固定
不固定
KMER
PKP Ⅱ型
半导体装置
SiO2
HF 缓冲剂(热生长)
硅氧蚀刻剂(沉积)
800Å/分,25℃
2400
Å/分,25℃
阴性和阳性
半导体和IC
SiO
一氧化硅蚀刻剂
5000Å/分,85℃
阴性和阳性
半导体装置
Si3N4
TRANSETCH - N
125Å/分,180℃
SiO2 (Silox)
半导体与集成线路
Ag
银蚀刻剂 - TFS
200Å/秒,25℃
阴性和阳性
半导体和IC
Ta
钽蚀刻剂-8607
70Å/秒,25℃
阴性和阳性
电容器,IC
Ti
钛蚀刻剂 -  TFT
25Å/秒,20℃
50
Å/秒,30℃
阴性和阳性
集成线路
Ti-W
钛钨蚀刻剂 TiW-30
20Å/秒
阴性和阳性
粘结层
W
钨蚀刻剂 TFW
140Å/秒,30℃
阴性和阳性
集成线路
SnO,ITO
TE-100
30分,25℃
屏幕光刻胶
电子线路
注:阴性光刻胶材料包括KPR、KTFR、PKP II型和WAYCOAT;
阳性光刻胶材料包括AZ-111、AZ 1350和Micro Positive 809(微阴性809)。
版权所有 天津创绅微电子科技有限公司 津ICP备20002604号 公司地址:天津南开区红旗南路天津奥林匹克村13-4-201