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钽蚀刻剂SIE—8607和111

说明
 
Transene钽蚀刻剂SIE—8607和111是在微电子产品的制作中用于精密、清晰的蚀刻钽、氮化钽和氧化钽膜的高纯度蚀刻剂体系。钽蚀刻剂SIE—8607是浸蚀性更强的快速蚀刻剂。而钽蚀刻剂—111则是便于蚀刻控制的较缓慢的蚀刻剂,它能更为有效地去除氧化钽膜层。这两种蚀刻剂都经过滤去除了大于0.2微米的颗粒。
 
性质
 
 
钽蚀刻剂SIE—8607
钽蚀刻剂—111
外观
澄清
澄清
溶解性
无限溶于水
无限溶于水
过滤
0.2微米
0.2微米
操作温度
25℃
25℃
蚀刻速率(Ta),25℃
70~80 Å/秒
30~40 Å/秒
贮存
室温
室温
有效期
1年
1年
掩散材料
金;阴性和阳性光刻胶
金;阴性和阳性光刻胶
冲洗
去离子水
去离子水
 
应用
 
蚀刻时间随材料种类(Ta,TaN或Ta2O5)和材料的纯度的不同而改变。把待蚀刻部件放在蚀刻液中后应进行中等强度的搅拌。钽蚀刻剂中含有氢氟酸,它能浸蚀氧化硅、钛、镍、铝和铬。
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