OHMEX AG
（用于半导体电阻焊接的热固性银）
制作高质量电和机械触点
特点
·单组分体系
·高粘结强度
·电阻触点
·低触点电阻
·低热阻抗
·低热应力
·宽温度稳定范围-65℃至+275℃
·低去气性
应用
用于晶片粘结——用于晶体管、检波器、热控管、集成电路和混合电路中硅、锗和其他半导体材料的粘结。还可粘结玻璃、金属、陶瓷、云母、塑料、石墨和石英等材料。可供大规模生产及实验室使用。
说明
OHMEX Ag是含还氧化银粘结组分的导电银配方。它以稀薄的膏状物的形式供货，使用方便。这一配方具有独特性，当适当固化后，具有高导电性能和良好粘结强度。OHMEX Ag用来代替铅-锡焊剂或其他合金，从而避免焊剂污染和暴露于过高温度，并能简化工艺过程。OHMEX Ag对所有金属都能焊制低电阻触点，而且对绝缘体也具有同样良好粘结性能。OHMEX Ag粘结剂也可用于半导体材料，只要其表面已经镀制上金属，或高度“掺杂”并已抛光了的话。OHMEX Ag在下面领域中广泛用于粘结半导体晶片、单块和混合集成线路、二极管和晶体管，陶瓷基板上的薄膜，用于所有组装结构。
性质
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体系
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单组分
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组成
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填充着银的环氧树脂
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密度
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2.5
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粘度
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90,000 cps.
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电阻率，标定值
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5 x 10-4 欧姆-cm
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热导率
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100 BTU/ft2/hr./℉./in.
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去气
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0.097% 在100℃ (1250 hours)
0.7% 在125℃ (1000 hours)
＜1.2% 在160℃ (1000 hours)
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粘结抗剪强度
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＞1000 PSI
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温度稳定范围
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-65℃至+275℃（间隔可至+325℃）
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线性热膨胀系数
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5 x 10-5 cm/cm/℃
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贮存
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40℉或更低
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有效期
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6个月
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稀释剂
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乙二醇一丁醚乙酸酯
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固化温度
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150℃（最低）
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指导意见
