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OHMEX AG

(用于半导体电阻焊接的热固性银)
 
制作高质量电和机械触点
 
特点
 
·单组分体系
·高粘结强度
·电阻触点
·低触点电阻
·低热阻抗
·低热应力
·宽温度稳定范围-65℃至+275℃
·低去气性
 
应用
 
用于晶片粘结——用于晶体管、检波器、热控管、集成电路和混合电路中硅、锗和其他半导体材料的粘结。还可粘结玻璃、金属、陶瓷、云母、塑料、石墨和石英等材料。可供大规模生产及实验室使用。
 
说明
 
OHMEX Ag是含还氧化银粘结组分的导电银配方。它以稀薄的膏状物的形式供货,使用方便。这一配方具有独特性,当适当固化后,具有高导电性能和良好粘结强度。OHMEX Ag用来代替铅-锡焊剂或其他合金,从而避免焊剂污染和暴露于过高温度,并能简化工艺过程。OHMEX Ag对所有金属都能焊制低电阻触点,而且对绝缘体也具有同样良好粘结性能。OHMEX Ag粘结剂也可用于半导体材料,只要其表面已经镀制上金属,或高度“掺杂”并已抛光了的话。OHMEX Ag在下面领域中广泛用于粘结半导体晶片、单块和混合集成线路、二极管和晶体管,陶瓷基板上的薄膜,用于所有组装结构。
 
性质
 
体系
单组分
组成
填充着银的环氧树脂
密度
2.5
粘度
90,000 cps.
电阻率,标定值
5 x 10-4 欧姆-cm
热导率
100 BTU/ft2/hr./℉./in.
去气
0.097% 在100℃ (1250 hours)
0.7%    125℃ (1000 hours)
1.2% 在160℃ (1000 hours)
粘结抗剪强度
1000 PSI
温度稳定范围
-65℃至+275(间隔可至+325
线性热膨胀系数
5 x 10-5 cm/cm/℃
贮存
40℉或更低
有效期
6个月
稀释剂
乙二醇一丁醚乙酸酯
固化温度
150℃(最低)
 
指导意见
 
这里虽然也供应特殊稀释剂,但在大多数应用场合,直接使用所提供的OHMEX Ag便可以了,不必进一步稀释。使用时,将OHMEX Ag加到欲粘结的部位,轻轻揿压,然后在150℃-160℃干燥箱内干燥至少15小时,或是在150℃干燥1小时,然后再在265℃至少干燥1小时。
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