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择优硅蚀刻剂

可各向异性地蚀刻<100>和<110>晶面上的硅。
择优硅蚀刻剂PSE-200,为碱性基蚀刻剂,蚀刻<110>晶向为具有垂直壁的蚀刻剂。
最佳硅蚀刻剂PSE-300为乙二胺基蚀刻剂,蚀刻<100>晶向。
PSE-300S、PSE-300F具有更快蚀刻速率。
 
说明
 
择优硅蚀刻剂配方在某一特定晶向面上具有更大的蚀刻速率。这种各向异性蚀刻剂可用于引导波束技术分离硅片和在集成电路上蚀刻得到电绝缘。此蚀刻剂体系还可以用于硅的化学成型,作为蚀刻剂,它们可以和Ag\Cu\Au\Ta或SiO2光掩膜材料同用,此时这些材料不被浸蚀。供应两种蚀刻剂体系:其中PSE-200是碱性基蚀刻剂,使用安全而且蚀刻速率最快。它用于硅上蚀刻深壁图案。PSE-300是乙二胺基蚀刻剂,蚀刻速率中等。为了进行更快的蚀,可购置PSE-300S和PSE-300F。
 
择优硅蚀刻剂的性质
 
 
PSE-200
PSE-300
外观
无色无味的液体
澄清液体
组成
碱基
乙二胺基
沸点
100℃
118℃
操作温度
75-100
100℃
择优作用晶向
110>向
100>向
其他常用晶向
111>晶面
----
110>可用
111>可忽略
蚀刻速率
1密耳/3分,100℃
25μ/小时,<100>
冲洗
金属膜
浸蚀Al
不浸蚀Au
中等浸蚀Ag
浸蚀Al,Cu
不浸蚀Au,Ta
中等浸蚀Ag
SiO2
不浸蚀
可用作光掩膜
可忽略
 
 
应用
 
PSE-300蚀刻的过程最好在安有回流管的烧瓶中进行。缓缓加热烧瓶,正好加热至蚀刻剂的沸点。在蚀刻台面型晶体管时PSE-200通常与热生长氧化硅光掩膜配合使用。这种蚀刻剂一般在其接近沸点的温度下进行操作。硅晶片表面存在的氧化物对于蚀刻过程有干扰的作用。因此需要将硅晶片在HF或加有缓冲剂的HF中浸泡。
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