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WRIGHT蚀刻剂和AB蚀刻剂

(半导体缺陷描绘蚀刻剂)
(用以表征和鉴定半导体中的晶体缺陷)
 
WRIGHT蚀刻剂—硅
 
AB-蚀刻剂—砷化镓
 
Wright蚀刻剂可以揭示晶体位错、堆垛层错、漩涡、条纹和滑移线。此蚀刻剂可应用于广范围电阻的P型和N型晶体的(100)和(111)晶向。可以用来表征浮区和Czochralski晶体。
AB蚀刻剂可蚀刻(100)和(110)晶面,从而揭示晶体位错、条纹、堆垛层错和滑移线。Wright蚀刻剂和AB蚀刻剂可有效地清晰勾画出晶体缺陷,基低蚀刻速率和低释热量使得便于精密控制,而且通过蚀刻所显示的晶体缺陷具有良好结晶学特征。
 
性质
 
组成
强氧化酸
PH
1
密度
1.1-1.2
蚀刻容器
聚乙烯或聚丙烯
冲洗
贮存
室温、避热
处理
以水稀释,以碱中和
 
注意事项:含有氢氟酸,使用时要当心。
 
以夸脱和加仑量聚乙烯瓶装出售
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