WRIGHT蚀刻剂和AB蚀刻剂
(半导体缺陷描绘蚀刻剂)
(用以表征和鉴定半导体中的晶体缺陷)
WRIGHT蚀刻剂—硅
AB-蚀刻剂—砷化镓
Wright蚀刻剂可以揭示晶体位错、堆垛层错、漩涡、条纹和滑移线。此蚀刻剂可应用于广范围电阻的P型和N型晶体的(100)和(111)晶向。可以用来表征浮区和Czochralski晶体。
AB蚀刻剂可蚀刻(100)和(110)晶面，从而揭示晶体位错、条纹、堆垛层错和滑移线。Wright蚀刻剂和AB蚀刻剂可有效地清晰勾画出晶体缺陷，基低蚀刻速率和低释热量使得便于精密控制，而且通过蚀刻所显示的晶体缺陷具有良好结晶学特征。
性质
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组成
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强氧化酸
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PH
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＜1
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密度
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1.1-1.2
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蚀刻容器
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聚乙烯或聚丙烯
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冲洗
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水
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贮存
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室温、避热
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处理
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以水稀释，以碱中和
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注意事项：含有氢氟酸，使用时要当心。
