固体扩散剂
（用于半导体技术）
用于半导体装置的半导体级磷、砷、锑和硼。
适当的剂量包装供扩散工艺使用。
施主型
粒状五氧化二磷（P2O5）
三氧化二砷（As2O3）
受主型
粒状硼酐（三氧化二硼B2O3）
粉状硼酸（H3BO3）
说明
Transene扩散剂是超纯半导体级化学试剂，它以合适方便的剂量包装出售，供应固态扩散工艺的需求。Transene扩散剂不含水分，其规格超过了ACS关于化学纯试剂材料的标准。供应类型包括硼酸、硼酐（受主型）和五氧化二磷（施主型），包装以氮气保护。
Transene扩散剂是通过扩散工艺掺入第Ⅳ族元素半导体的最主要的杂质材料。Transene扩散剂颗粒大小均匀，这就保证对吹径扩散仪的载气中扩散剂的浓度能作到良好控制。固态扩散过程依赖于硅（或锗）与高温下产生的硼和磷化合物蒸汽的化学反应。在半导体表面生成的薄膜变成了硼或磷的无限扩散之源。这些扩散过程易于调节控制从而得到p-n结和电阻触点。
Transene扩散剂用于生产制作平面晶体管、场效应装置、二极管、整流器以及其他硅和锗装置。使用Transene高纯扩散剂是采用扩散技术制作高可靠性、优良质量半导体的基本保证。
Transene扩散剂（最低纯度99.9%）的物理性质
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性质
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硼酸
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硼酐
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五氧化二磷
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分子式
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H3BO3
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B2O3
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P2O5
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熔点
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61.84
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64.69
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141.96
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蒸发热（K卡/克分子）
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--
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--
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22.7（P2O5）
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正四面体半径比
B/Si or P/Si
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0.75
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0.75
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0.93
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杂质浓度
（在锗中）
（在硅中）
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0.0104
0.045
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0.0104
0.045
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0.0120
0.050
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活化能（K卡/克分子）
（在锗中）
（在硅中）
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105
85
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105
85
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57
85
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指前因子扩散系数，Do（cm2/秒）
（在锗中）
（在硅中）
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1.6×109
10.5
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1.6×109
10.5
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2.5
10.5
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扩散常数（cm2/秒）
（在锗中）
（在硅中）
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8.7×10-15 @ 950℃
6.4×10-12 @ 1275℃
0.4×10-12 @ 850℃
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7.7×10-15@ 950℃
5.0×10-12@ 1235℃
8×10-11@ 900℃
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表面浓度（原子数/cm3）
（在硅中）
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8×1021 @ 950℃
1×1021@ 1275℃
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2.5×1021 @ 950℃
6×1020 @ 1235℃
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