铝蚀刻剂
（微型电子产品中铝的蚀刻剂）
用本化学蚀刻剂与阴性和阳性光刻胶都具有良好匹配性，能用于集成电路、半导体、二极管、MOD和FET装置中电阻触点和连接线的刻制。
铝蚀刻剂，A型
本标准铝蚀刻剂可用于硅装置及其他微型电子产品。
铝蚀刻剂，D型
本标准铝蚀刻剂可用于砷化镓，其他砷化物，以及砷化镓部件，还可用于蚀刻镍铬电阻上的金属铝。
本产品的特点
· 蚀刻速率可以控制
· 蚀刻选择性好，不浸蚀SiO2 或Si3N4
· 分辨率高，边下蚀现象最低
· 无污点形成
· 经济，可反复使用
说明
Transene公司铝蚀刻剂是提供用以蚀刻硅部件上和集成电路中金属铝的稳定无毒的成方制剂。可以刻制铝触点和连接线。这些铝蚀刻剂具有能克服铝蚀刻过程中出现的许多问题的独特性能。
铝金属化和使用光印刷术的蚀刻工艺是半导体和微型电子技术的基础。Transene公司的铝蚀刻剂与市售光刻胶（KTFR，AZ、Hunt、Waycoat等）具有良好匹配性，可以蚀刻出高分辨率图案。可以得到宽度为1密耳的金属线，线间距可小于5微米。Transene公司的铝蚀刻剂分辨率高，因为它不剥脱光刻胶，这样蚀刻线边下蚀现象就最少。而且该蚀刻剂不浸蚀硅、二氧化硅、氮化硅或镍铬电阻膜。
供应两种铝蚀刻剂用于微型电子器件。其中A型铝蚀刻剂建议用于硅部件，D型建议用于砷化镓和磷化镓部件以避免蚀刻剂对金属互化物的浸蚀作用。也建议用于蚀刻镍铬薄膜电阻上的金属铝。
Transene公司铝蚀刻剂性能
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A型
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D型
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外观
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液体
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淡黄色
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PH
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1.0
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1.0
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沸点
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> 100℃
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> 150℃
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冰点
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< 0℃
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< 0℃
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25℃时比重
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1.45
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1.50
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闪点
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不可燃
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不可燃
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溶解度
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溶于水
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溶于水
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蚀刻速率
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25 °C
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10 Å/秒
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40 Å/秒
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40 °C
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80 Å/秒
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125 Å/秒
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50 °C
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100 Å/秒
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200 Å/秒
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65 °C
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240 Å/秒
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75 °C
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550 Å/秒
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注：蚀刻速率因铝纯度不同而微有区别。
应用
用真空沉积法在硅片上镀一层厚25000 Å的铝膜，涂以光刻胶，上面覆盖上摄影片，在紫外光源下暴光。光刻胶显示图案，其中作为连接线的铝被保护，而不受保护部分的铝则被铝蚀刻剂浸蚀除掉。随后用水冲洗。
蚀刻时间根据蚀刻温度和铝膜厚度而定。在蚀刻厚铝膜时，蚀刻速率要高，此时要在较高温度下进行蚀刻。与此相反，对于薄铝膜则需要蚀刻速率慢，蚀刻温度低。在某一具体温度下，蚀刻时间可根据下列公式计算：
蚀刻时间（分钟）= 膜厚（Å）
蚀刻时间（Å/秒）* 60
